Электронный микроскоп позволяет достичь гораздо более высокого разрешения (в настоящее время, примерно 0.1 нм), чем может быть получено в случае оптического микроскопа. Высоковольтный источник питания электронных микроскопов от FuG Elektronik обычно состоит из набора соединенных (параллельно или последовательно) источников напряжения малой мощности для питания разных электродов для контроля электронного пучка. К стабильности и взаимному влиянию источников напряжения предъявляются высокие требования.

Виды электронных микроскопов: растровые и трансмиссионные

Различают трансмиссионные электронные микроскопы и растровые электронные микроскопы.

Растровые электронные микроскопы (РЭМ) и источники питания от FuG Elektronik

Электронный микроскоп предназначен для того, чтобы получить изображение объекта с высоким пространственным разрешением. Кроме того, с его помощью можно получить информацию о составе, свойствах и строении приповерхностных слоёв. В основе его работы положен принцип взаимодействия исследуемого вещества с электронным пучком. Современный микроскоп способен работать в огромном диапазоне – от 10 до 1 000 000 крат.

Поскольку разрешение зависит от длины волны, оно растет с повышением энергии используемых электронов и, следовательно, ускоряющего напряжения. С другой стороны, по мере повышения энергии пучка растет глубина проникновения, в связи с чем поверхность исследуют с помощью так называемой "Микроскопии посредством электронов малой энергии" LEEM, где требования к стабильности ускоряющего, фокусирующего и отклоняющего напряжений особо высоки.

Принцип:

Сегодня возможности растровой электронной микроскопии используются практически во всех областях науки и промышленности, от биологии до наук о материалах. Существует огромное число фирм, выпускающих разнообразные конструкций РЭМ, оснащенные детекторами различных типов. Предлагаем рассмотреть пример использования ИБП от лидера по производству импульсных источников питания FuG Elektronik

Пример:

HCV 252MM - 15000: Высоковольтный источник питания для LEEM

основной потенциал: 0 – 15кВ, макс. 1мА

потенциал объекта: -5V - +2кВ

облучение: 0 - 1,5кВ, 0 – 100мА

нижнее поле: -2кВ - +5кВ

отверстие 1: 0 – 10кВ, макс. 1 мA

отверстие 2: 0 – 15кВ, макс. 1 мА

волокно: 0 - 5A, макс. 10V, управление током эмиссии

Частично высоковольтные источники напряжения; значения стабильности до 0,8 ppm